.:$$:.

Książka wprowadza Czytelnika krok po kroku w tajniki posługiwania się programem PSpice -- komercyjną wersją programu SPICE2 -- opracowaną przez firmę MicroSim. Autor rozpoczyna od analizy prostego dzielnika napięcia i poprzez liczne, coraz bardziej skomplikowane przykłady doprowadza do analizy układu scalonego stanowiącego wzmacniacz operacyjny A741. Szczególnie dokładnie opisane zostały modele matematyczne elementów półprzewodnikowych zastosowane w programie.

Uwagę zwraca szczegółowy opis modelu materiału ferromagnetycznego oraz unikalny algorytm wyznaczania parametrów potrzebnych do modelowania takiego materiału. Książka uzupełniona jest przez dodatki podsumowujące sposób opisu obwodu i instrukcje sterujące analizą.

Książka przeznaczona jest dla wszystkich interesujących się elektroniką. W szczególności może być bardzo przydatna studiującym elektronikę, telekomunikację, automatykę, informatykę oraz pokrewne dziedziny wiedzy.
1. Pierwsze kroki (1)

• 1.1 Komputerowa analiza układów elektronicznych (1)
• 1.2 Prosty obwód (2)
• 1.3 Organizacja danych wejściowych (5)
• 1.4 Podstawowe typy elementów (6)
• 1.4.1 Opornik (6)
• 1.4.2 Kondensator (7)
• 1.4.3 Cewka (7)
• 1.4.4 Cewki sprzężone (7)
• 1.4.5 Bezstratna linia długa (8)
• 1.4.6 Niezależne źródła napięcia i prądu (9)
• 1.4.7 Źródła sterowane napięciem (9)
• 1.4.8 Źródła sterowane prądem (10)
• 1.5 Wartości elementów (10)
• 1.6 Uwagi o metodzie analizy obwodu (11)
• 1.6.1 Metoda potencjałów węzłowych (11)
• 1.6.2 Zmodyfikowana metoda potencjałów węzłowych (15)

2. Analiza stałoprądowa (19)

• 2.1 Statyczny punkt pracy układu (19)
• 2.2 Charakterystyki statyczne (20)
• 2.3 Zbieżność obliczeń (22)
• 2.3.1 Algorytm Newton-a Raphson-a (25)
• 2.3.3 Parametryzacja źródeł (30)
• 2.4 Transmitancje stałoprądowe (32)
• 2.4.1 Instrukcja .TF - obliczanie transmitancji (33)
• 2.4.2 Inny sposób obliczania transmitancji stałoprądowej (34)
• 2.5 Wrażliwości (36)
• 2.5.1 Format instrukcji (36)
• 2.5.2 Projektowanie przetwornika C/A (36)
• 2.5.3 Analiza Monte Carlo (40)

3. Analiza zmiennoprądowa (45)

• 3.1 Analiza w dziedzinie częstotliwości (45)
• 3.1.1 Wymuszenia (46)
• 3.1.2 Modele elementów nieliniowych (46)
• 3.1.3 Wzmacniacz oporowy (48)
• 3.1.4 Instrukcje wyprowadzania danych (52)
• 3.2 Analiza szumów (62)
• 3.2.1 Modele szumowe elementów (63)
• 3.2.2 Instrukcja analizy szumów (65)
• 3.2.3 Szumy wtórnika napięcia - instrukcje .INC, .SUBCKT, .ENDS (66)

4. Analiza stanów nieustalonych (71)

• 4.1 Instrukcja analizy stanów nieustalonych (72)
• 4.1.1 Wymuszenia (73)
• 4.1.2 Klucze (77)
• 4.1.3 Linia długa (79)
• 4.1.4 Sterowanie procesem całkowania (83)
• 4.2 Układy niestacjonarne (86)
• 4.2.1Idea realizacji elementów o zmiennych w czasie parametrach (86)
• 4.2.2 Nieliniowe źródła sterowane (88)
• 4.2.3 Biblioteka elementów o wartościach zależnych od czasu (91)
• 4.3 Analiza zniekształceń nieliniowych (94)
• 4.4 Zastosowanie programu PSpice do problemów nieelektrycznych (99)
• 4.4.1 Atraktor Lorentza (100)
• 4.4.2 Cząstka amoniaku (102)

5. Elementy pasywne - modele (111)

• 5.1 Jeszcze raz deklaracja modelu (111)
• 5.2 Model opornika (112)
• 5.3 Model kondensatora (114)
• 5.4 Model cewki magnetycznej (115)
• 5.5 Model kluczy sterowanych (116)
• 5.6 Model nieliniowego rdzenia magnetycznego (116)
• 5.6.1 Model materiału rdzenia (118)
• 5.6.2 Wyznaczanie parametrów materiału magnetycznego (119)
• 5.6.3 Uwagi na temat obliczania parametrów materiałów magnetycznie miękkich (125)

6. Elementy półprzewodnikowe (127)

• 6.1 Dioda półprzewodnikowa (127)
• 6.1.1 Deklaracja diody półprzewodnikowej (127)
• 6.1.2 Model diody półprzewodnikowej (129)
• 6.1.3 Wpływ temperatury na charakterystyki diody (134)
• 6.1.4 Model małosygnałowy i model szumowy diody (137)
• 6.2 Tranzystor bipolarny (138)
• 6.2.1 Deklaracja tranzystora bipolarnego (138)
• 6.2.2 Charakterystyka statyczna tranzystora bipolarnego (139)
• 6.2.3 Pojemności (143)
• 6.2.5 Model małosygnałowy i model szumowy (150)
• 6.3 Tranzystor polowy, złączowy (JFET) (155)
• 6.3.1 Deklaracja w strukturze obwodu tranzystora polowego, złączowego (156)
• 6.3.2 Model standardowego (Si) tranzystora polowego, złączowego (156)
• 6.3.3 Model tranzystora polowego, złączowego GaAs (159)
• 6.3.4 Model małosygnałowy i model szumowy (163)
• 6.4 Tranzystor polowy z izolowaną bramką (MOS) (164)
• 6.4.1 Deklaracja tranzystora MOS w strukturze obwodu (165)
• 6.4.2 Model Shichman-a Hodges-a (LEVEL=1) (166)
• 6.4.3 Model Meyer-a (LEVEL=2) (174)
• 6.4.4 Model Dang-a (LEVEL=3) (184)
• 6.4.5 Oporności omowe (190)
• 6.4.6 Komentarz (190)
• 6.4.7 Model małosygnałowy i szumowy (191)

Dodatek A Instrukcje i deklaracje (194)
Dodatek B Deklaracje elementów (207)
Dodatek C Konfiguracja programu Probe (215)
Dodatek D Probe - wyrażenia (217)
Literatura (219)
Indeks (222)